Description
Fabricant : STMicroelectronics Type de transistor : N-MOSFET Technologie : MDmesh Polarisation : unipolaire Tension drain-source : 600V Courant du drain : 20A Puissance de dissipation : 250W Boîtier : TO247 Tension entrée-source : ±25V Résistance en état de conduction : 92mO Montage : THT Genre de la emballage : tube Genre de canal : enrichi




